窒化ガリウムデバイス及び集積回路において自己整合分離を製作する方法

摘要

コンタクト開口又は金属マスクの窓に自己整合した分離領域を有するエンハンスメントモードＧａＮ ＨＦＥＴデバイスを形成するための方法である。当該方法は専用の分離マスク及び関連する工程段階を必要としないため、製造コストが抑えられて有利である。当該方法は、基板、緩衝層、ＧａＮ層及びバリア層を含むＥＰＩ構造を提供することを含む。誘電層がバリア層の上に形成され、デバイスコンタクト開口及び分離コンタクト開口ために誘電層に開口が形成される。