| 摘要 |
Ein piezoelektrisches dünnes Filmelement, mindestens umfassend: ein Substrat (1); eine untere Elektrode (3), die auf einem Oxidfilm ausgebildet ist, der auf dem Substrat (1) ausgebildet ist; einen piezoelektrischen dünnen Film (4), der auf der unteren Elektrode (3) ausgebildet ist und der durch die allgemeine Formel (NaxKyLiz)NbO3 (0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ z ≤ 0,2, x + y + z = 1) dargestellt wird; und eine obere Elektrode (15), die auf dem Piezoelektrischen dünnen Film (4) ausgebildet ist, wobei der piezoelektrische dünne Film (4) eine Kristallstruktur aufweist, die mindestens eines von einem pseudokubischen Kristallsystem, einem tetragonalen Kristallsystem und einem orthorhombischen Kristallsystem umfasst, die Kristallstruktur weist eine Mehrzahl von Kristallachsen auf, und der piezoelektrische dünne Film (4) ist so ausgelegt, dass zwei Achsen, die [001] Achse und die [111] Achse, bevorzugt orientiert sind und wobei die Summe eines Volumenanteils der (001) Komponente, die bevorzugt in Richtung der [001] Achse orientiertem Kristallkorn (7) entspricht, und eines Volumenanteils einer (111) Komponente, die bevorzugt in Richtung der [001] Achse orientiertem Kristallkorn (8) entspricht, als 100% definiert ist, der Volumenanteil der (001) Komponente in einem Bereich von 60% oder mehr und weniger als 99% liegt und der Volumenanteil der (111) Komponente in einem Bereich von mehr als 1% und 40% oder weniger liegt. |
