| 摘要 |
本发明系提供用于再结晶薄膜半导体之高产率系统与制程，其中该再结晶薄膜半导体系在低温下沉积于基板上。一薄膜半导体工件系以雷射光束进行幅照，以熔融并再结晶暴露于雷射光束下该表面之目标区域。使用图案化罩幕，以成形雷射光束为一或多个子光束。罩幕图案具有合适的尺寸与定向而图案化雷射光束辐射，以使子光束之目标区域具有助于半导体再结晶之尺寸与定向。工件系相对于雷射光束并沿着线性路径机械地被传送，以在高速下处理工件的整个表面。参考位置而发射之雷射，可用以产生雷射光束脉冲，并在马达座上传送时，可于工件表面之精确位置上，熔融并再结晶半导体材料。 |
