| 摘要 |
一种尤其有用于选择性地蚀刻在具有非氧化物组合物(诸如氮化矽)之特点上之氧化物的氧化物蚀刻方法，尤其系当该特点具有易在氧化物蚀刻过程中产生刻面之角落时。本发明之一态样使用四种具有低F／C比之无氢氟碳化物之其中一种，明确言之为六氟丁二烯(C4F6)、八氟戊二烯(C5F8)、六氟环丁烯(C4F6)、及六氟苯(C6F6)。至少六氟丁二烯具有低于10℃之沸点，且可于市面购得。本发明之另一态样使用不饱和氟碳化物诸如五氟丙烯(C3HF5)、及三氟丙炔(C3HF3)，其两者皆具有低于10℃之沸点，且可于市面购得。使氟碳化物与实质量之贵重气体诸如氩或氙一起在将电浆源功率感应偶合至室内，并使支承晶圆之基座电极RF偏压之反应器中激发成高密度电浆。使用两二步骤蚀刻方法之其中一者较佳。在第一个方法中，使源功率及偏压功率在将近蚀刻终点时降低。在第二个方法中，在主步骤中使用氟碳化物于提供良好的垂直侧面，及在过度蚀刻中加入更强烈聚合的氟碳化物诸如二氟甲烷(CH2F2)，以保护氮化物角落。可在磁力增进反应性离子蚀刻器(MERIE)中采用相同的化学性，以利用再更大量的氩较佳。 |
