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<P>L'invention concerne une mémoire à semiconducteurs intégrée monolithique. </P><P> Dans cette mémoire, dont les éléments de mémoire sont constitués chacun par un condensateur de mémoire C1, C1' et par un élément de sélection A; T1, T2; T1', T2' qui possède des électrodes de portes de transfert T1, T1', les électrodes T1, T1' d'éléments de mémoire situés d'un même côté du conducteur de bits BL sont reliées à un même conducteur de mots Wl cependant que les éléments de mémoire comportent des secondes électrodes de portes de transfert T2, T2', dont celles d'éléments de mémoire situés d'un même côté du conducteur de bits BL et celles des éléments de mémoire situés de l'autre côté dudit conducteur de bits sont reliées respectivement par un conducteur de sélection AL; AL' à un décodeur de mots WL. Application notamment aux mémoires RAM à haute densité d'intégration.</P>
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