| 发明名称 | 多孔表面和半导体表面的清洗方法 | ||
| 摘要 | 所提供的是一种多孔半导体衬底的恰当清洗方法，它不会出现由空化或共振造成的多孔结构瓦解。在至少表面内带有多孔结构的半导体衬底的多孔表面的清洗方法中，用来清除附着于衬底的多孔表面的尘埃颗粒的清洗，用其上叠加有频率在600KHz-2MHz范围内的高频波的纯水来进行。 | ||
| 申请公布号 | CN1166693A | 申请公布日期 | 1997.12.03 |
| 申请号 | CN97105404.5 | 申请日期 | 1997.05.28 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 藤山靖朋;云见日出也 |
| 分类号 | H01L21/302;H01L21/306;B28D7/02 | 主分类号 | H01L21/302 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种用来清洗至少在其表面带有多孔结构的衬底的多孔表面的多孔表面清洗方法，其中用来清除附着于上述衬底的多孔表面的尘埃颗粒的清洗，用其上叠加有频率在600KHz-2MHz范围内的高频波的纯水来进行。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||