发明名称 METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR SURFACE COVERED WITH FLUORINE
摘要 Erfindungsgemäss wird ein Verfahren zur Herstellung einer mit Fluor belegten Oberfläche bereitgestellt. Das erfindungsgemässe Verfahren umfasst die Schritte: a) ein Halbleitersubstrat in einer Reaktionskammer wird bereitgestellt; b) die Substratoberfläche wird mit Wasser und/oder Alkohol benetzt; c) eine fluorhaltige Verbindung wird zu der Substratoberfläche geführt, so dass eine gereinigte, mit Fluor belegte Halbleiteroberfläche erzeugt wird; d) die fluorhaltige Verbindung wird aus der Reaktionskammer entfernt; und e) die gereinigte, mit Fluor belegte Halbleiteroberfläche wird mit einer Mischung benetzt, die zumindest 10 Vol% Wasser und zumindest 10 Vol% Alkohol enthält, so dass eine gereinigte, mit einer vorbestimmten Menge an Fluor belegte Halbleiteroberfläche, erzeugt wird.
申请公布号 WO9950896(A1) 申请公布日期 1999.10.07
申请号 WO1999DE00819 申请日期 1999.03.19
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;GSCHWANDTNER, ALEXANDER;INNERTSBERGER, GUDRUN;GRASSL, ANDREAS;FROESCHLE, BARBARA;KERBER, MARTIN;MATTHEUS, ALEXANDER 发明人 GSCHWANDTNER, ALEXANDER;INNERTSBERGER, GUDRUN;GRASSL, ANDREAS;FROESCHLE, BARBARA;KERBER, MARTIN;MATTHEUS, ALEXANDER
分类号 H01L21/304;H01L21/306;H01L21/316;(IPC1-7):H01L21/306 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人
主权项
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