| 发明名称 | 自扫描型发光元件阵列芯片 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种自扫描型发光元件阵列，使用Si作为构造材料并在Si衬底上形成。在Si衬底30上形成栅失配缓和层32。通过外延成长，在栅失配缓和层32上依次层叠n型AlGaAs层14、p型AlGaAs层16、n型AlGaAs层18、p型AlGaAs层20。在AlGaAs层20上设置有阳极电极22，在AlGaAs层18上设置有栅电极24，在GaAs衬底的背面设置有阴极电极26。 | ||
| 申请公布号 | CN1586016A | 申请公布日期 | 2005.02.23 |
| 申请号 | CN02822568.6 | 申请日期 | 2002.12.10 |
| 申请人 | 日本板硝子株式会社 | 发明人 | 大野诚治 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李德山 |
| 主权项 | 1、一种自扫描型发光元件阵列芯片，具有：Si衬底；和在所述Si衬底上设置的由pnpn层构成的自扫描型发光元件阵列。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||