发光元件

摘要

一种氮化物半导体元件，其特征是：它在n型氮化物半导体层和P型半导体层之间具有由量子阱层和势垒层叠层生长而成的有源层，所述有源层的量子阱层由In_XGa_1-XN(但是、0＜X＜1)组成，它的发光峰值波长在450～540nm，在这种长波长发光元件中，为了减小量子阱结构发光元件的驱动电压或者提高它的发光输出，所述有源层的叠层总数大于9层小于13层，从与n型氮化物半导体层连接一侧数起3层以内的层内含有n型杂质5×10¹⁶～2×10¹⁸/cm³，n型杂质从Si、Ge、Sn组成的杂质群中选出。

主权项

1.一种发光元件，在n型氮化物半导体层与P型氮化物半导体之间具有由量子阱层和势垒层叠层而成的有源层，所述有源层的量子阱层由InGaN组成，其发光峰值波长在450～540nm，其特征在于：所述有源层中的量子阱层和势垒层的总层数大于9层小于13层，所述有源层具有第一区域和第二区域，其中从与n型氮化物半导体层连接一侧数起由量子阱层和势垒层构成的3层为第一区域，位于该第一区域和所述P型氮化物半导体层之间为第二区域；所述第一区域的至少一层含有n型杂质的浓度为5×1016～2×1018/cm3，n型杂质从Si、Ge、Sn组成的杂质群中选出，并且比第二区域的杂质浓度高。