| 主权项 |
1.一种MCM(多晶片模组)之交直流转换器,其特征为:系以该现今电源管理系统逻辑回授控制回路之设计考量,利用共晶的方式,以解决低效率、高成本之制作流程,且在交换式电源管理系统中,设计出之新型结构回路,该回路设计之特点,具有五个输入输出端点:Vcc(电压)、DRAIN(泄极)、FB(基准回授参考端)、PD(相位侦测)及GND(接地端))且在无负载下,不须提供特定频率锁定相位输出,换言之,整体应用回路可为省电,且降低IC(积体电路)本身功率的消耗。2.依申请专利范围第1项所述之一种MCM(多晶片模组)之交直流转换器,其工作原理如下:一、首先由Vcc(电压)提供一回路启动电压,作为供给GENERATOR(发送器)产生一START PULSE(启动脉冲),同时与OSCILLATOR(振荡回路)相结合,进而控制驱动回路(由一或闸、一DRIVER(驱动器)、一比较器及一CURRENTLIMIT(限流器)所组合而成);二、为力求回路之稳定性,故由FEED BACK(回授电路)、电压侦测电路及PHASE DETECTOR(相位侦测点)共同作为振荡回路之比较准位;三、该MOSFET(金属氧化物半导体场效电晶体)的输出端会因负载加大而产生大电流通过,故在其泄极加上OVER CURRENT DETECTOR(过电流侦测保护),以作为截止信号的输出,进而防止该MOSFET(金属氧化物半导体场效电晶体)因电流上升而造成温度升高的情形发生。3.依申请专利范围第2项所述之一种MCM(多晶片模组)之交直流转换器,其工作原理符合电晶体组装回路设计需求,分别为:回路维修简易回路,阻碍性低,体积极小化,回路启动时间短,低价成本,缩短制程时间。4.依申请专利范围第2项所述之一种MCM(多晶片模组)之交直流转换器,其工作原理符合单晶片控制回路设计需求,分别为:电气特性高(耐高压、耐电流、低阻抗性、高效率等),减少非人为因素干扰(大气杂讯、高低温差、湿度等),降低材质损失(高频切换及材质参数变动),电路结构稳定度高,低消耗功率。5.依申请专利范围第1项所述之一种MCM(多晶片模组)之交直流转换器,该回路结构设计中,系采用共晶分离方式,既将高耗能量晶片独自分离出,且与lead fram(铜箔面)上紧密粘贴,以达迅速热能释放均匀而次耗能量元件集中。6.依申请专利范围第5项所述之一种MCM(多晶片模组)之交直流转换器,以ceramic subtrate base(陶瓷衬底基座)为其温度均匀化后,遂利用lead fram(铜箔面)上共通接面,使该ceramic subtrate base(陶瓷衬底基座)上高耗能量线路毋须经由金线焊接作业而直接透过铜箔接面之接脚引出,也因此将增加过电流通过之截面积,而降低温度变化量。图式简单说明:第一图系本创作之内部方块架构示意图。第二图系交换式电源管理系统中之逻辑控制回路线路图。第三之一图系输入电压对效率参照图表。第三之二图系输入电压对基准频率参照图表。第三之三图系输入电压与输出电压对照输出电流曲线表。第四图系本创作之应用电路图。 |
