图像传感器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：衬底，设有晶体管电路；第一和第二互连件，在所述衬底上彼此分离；第一导电型导电层，形成在所述第一互连件的侧面；第二导电型导电层，形成在所述第二互连件的侧面；以及本征层，形成在所述第一和第二导电型导电层之间，从而形成P－I－N结构。根据本发明，光电二极管形成在晶体管电路的上部，从而确保光电二极管的像素单元之间的绝缘性，并且隔离和减小光电二极管的像素单元之间的色度亮度串扰，以提高图像传感器的分辨率和灵敏度。

主权项

1、一种图像传感器，包括：衬底，设有晶体管电路和至少两个下部互连件；第一上部互连件，电连接到所述至少两个下部互连件中的第一下部互连件；第二上部互连件，电连接到所述至少两个下部互连件中的第二下部互连件；第一导电型导电层，形成在该第一上部互连件的至少一个侧壁表面上；第二导电型导电层，形成在该第二上部互连件的至少一个侧壁表面上；以及本征层，形成在该第一导电型导电层和该第二导电型导电层之间；其中，该第一导电型导电层、该本征层、以及该第二导电型导电层提供水平设置的二极管结构。