SUBSTRATE FOR SOLIDIFYING A SILICON INGOT

摘要

본 발명은 특히 액체 실리콘에 접촉하게 되는 기재(substrate)에 관한 것이고, 이 기재는 결속층(tie layer)이라고 명명한, 상기 기재와 인접하고 적어도 30%의 개기공율을 가지며 실리카와 실리콘 나이트라이드에 기초한 재료로 형성되되 상기 재료는 총 중량 대비 10%와 55% 사이의 실리카 함량을 가지는 적어도 하나의 층과, 상기 결속층과 별개이고 이형층(release layer)이라고 명명한, 결속층의 표면에 위치하고 실리카와 실리콘 나이트라이드에 기초한 재료로 형성되되 상기 재료는 총 중량 대비 2%와 10% 사이의 실리카 함량을 가지는 층으로부터 형성된 다층 코팅으로 적어도 부분적으로 표면 코팅된 것이 특징이다.