| 主权项 |
1.一种金氧半导体电晶体(metal-oxide-semiconductortransistor),其具有选择性磊晶(SEG)层,并对于SEG预清洗制程中的氢氟酸侵蚀具有高抵抗力,该金氧半导体电晶体包含有:一半导体基底;一闸极设于该半导体基底上,且该闸极具有两侧壁;一源极/汲极掺杂区,设于该闸极两侧之该半导体基底中;一闸极氧化层,设于该闸极下方;一表面经氮化之矽氧衬垫层(silicon oxide liner),覆盖该闸极之侧壁上;一氮化矽侧壁子设于该表面经氮化之矽氧衬垫层上;一选择性磊晶(selective epitaxial growth,SEG)层,设于该源极/汲极掺杂区以及该闸极上;以及由该选择性磊晶层长出之金属矽化物层。2.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体电晶体,其中该表面经氮化之矽氧衬垫层另覆盖紧邻该闸极两侧之轻掺杂汲极(lightly doped drain,LDD)区,其中该轻掺杂汲极(LDD)区系介于该闸极与该源极/汲极掺杂区之间。3.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体电晶体,其中该表面经氮化之矽氧衬垫层系由一氮氧化矽(silicon oxy-nitride)层以及二氧化矽层所构成,又其中该氮化矽侧壁子系设于该氮氧化矽层上。4.如申请专利范围第3项所述之金氧半导体电晶体,其中该氮氧化矽层的厚度约为5-80埃(angstrom)。5.一种可避免底切(undercut)现象之金氧半导体电晶体结构,包含有:一半导体基底;一闸极设于该半导体基底上,且该闸极具有两侧壁;一源极/汲极掺杂区,设于该闸极两侧之该半导体基底中;一闸极氧化层,设于该闸极下方;一矽氧衬垫层(silicon oxide liner),覆盖该闸极之侧壁上,其中该矽氧衬垫层具有一足够薄的厚度,得以在SEG预清洗过程中产生毛细现象效应以阻挡氢氟酸之侵蚀;一氮化矽侧壁子设于该矽氧衬垫层上;一选择性磊晶层,设于该源极/汲极掺杂区以及该闸极上;以及由该选择性磊晶层长出之金属矽化物层。6.如申请专利范围第5项所述之可避免底切现象之金氧半导体电晶体结构,其中该矽氧衬垫层系为一薄原子沈积氧化层(atomic layer deposition oxide,ALD oxide)。7.如申请专利范围第5项所述之可避免底切现象之金氧半导体电晶体结构,其中该矽氧衬垫层的厚度介于30-100埃。8.如申请专利范围第5项所述之可避免底切现象之金氧半导体电晶体结构,其中该矽氧衬垫层另覆盖紧邻该闸极两侧之轻掺杂汲极(LDD)区,其中该轻掺杂汲极区系介于该闸极与该源极/汲极掺杂区之间。图式简单说明:图一至图七为习知制作具有架高SEG汲极/源极之MOS电晶体的剖面示意图。图八至图十五为依据本发明较佳实施例一种制作具有架高SEG汲极/源极之MOS电晶体的方法的剖面示意图。 |
