| 发明名称 |
DISPOSITIF MEMOIRE NON VOLATILE PROGRAMMABLE ET EFFACABLE ELECTRIQUEMENT COMPATIBLE AVEC UN PROCEDE DE FABRICATION CMOS/SOI |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2767219(B1) |
申请公布日期 |
1999.09.17 |
| 申请号 |
FR19970010223 |
申请日期 |
1997.08.08 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE |
发明人 |
HARTMANN JOEL;BELLEVILLE MARC |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L21/84;H01L27/115;H01L27/12;(IPC1-7):G11C16/02;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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