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Método para produzir um dispositivo de célula solar, que compreende formar um eletrodo de óxido transparente (12) sobre a superfície de um substrato isolante (10), limpar a superfície do substrato isolante (10) e a superfície do eletrodo do óxido transparente (12) com um halogênio gasoso que tem uma pressão de vapor saturado maior que aquela do gás de gravação usado para formar o eletrodo de óxido transpartente (12), formar uma camada de tratamento de superfície (14), em película de nitreto de silício (16), uma camada (18) de semicondutor do tipo p, uma camada compensadora (20), uma camada de semicondutor intrínseco (22), uma camada (24) de semicondutor de tipo n, um eletrodo metálico (26), nessa ordem mencionada, formando assim uma estrutura de múltiplas camadas. Por causa da etapa de limpeza, as superfícies do substrato isolente (10) e do eletrodo de óxido transparente (12) são limpas a tal ponto que a transparência é alta e alcança-se uma transmitância de luz desejada.
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