| 发明名称 | 制造半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造半导体装置的方法。通过防止彼此面对的两个半导体芯片之间的介电击穿，实现半导体装置的可靠性提高。在制造第一半导体芯片和第二半导体芯片期间，执行将绝缘膜的上表面平坦化的过程。然后，第一半导体芯片和第二半导体芯片经由绝缘片材堆叠，并且使第一半导体芯片和第二半导体芯片相应的绝缘膜彼此面对，使得第一半导体芯片和第二半导体芯片相应的线圈彼此磁耦合。 | ||
| 申请公布号 | CN105762141A | 申请公布日期 | 2016.07.13 |
| 申请号 | CN201510875921.7 | 申请日期 | 2015.12.03 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 内田慎一;藏本贵文;黄俐昭 |
| 分类号 | H01L25/07(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/62(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/07(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置包括具有第一线圈的第一半导体芯片、具有第二线圈的第二半导体芯片以及介于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间的绝缘片材，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片经由所述绝缘片材堆叠，所述第一线圈和所述第二线圈彼此磁耦合，所述方法包括以下步骤：(a)设置所述第一半导体芯片；(b)设置所述第二半导体芯片；以及(c)将所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片经由所述绝缘片材堆叠，以便使所述第一线圈和所述第二线圈彼此磁耦合；其中，所述步骤(a)包括以下步骤：(a1)在第一半导体衬底上，形成具有一个或多个布线层并且包括所述第一线圈的第一布线结构；(a2)在所述第一布线结构上，形成第一绝缘膜；以及(a3)将所述第一绝缘膜的上表面平坦化，其中，所述步骤(b)包括以下步骤：(b1)在第二半导体衬底上，形成具有一个或多个布线层并且包括所述第二线圈的第二布线结构；(b2)在所述第二布线结构上，形成第二绝缘膜；以及(b3)将所述第二绝缘膜的上表面平坦化，并且其中，在所述步骤(c)中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片经由所述绝缘片材堆叠，并且使所述第一半导体芯片的所述第一绝缘膜和所述第二半导体芯片的所述第二绝缘膜彼此面对。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||