发明名称 |
制造半导体器件的方法 |
摘要 |
一种制造半导体器件的方法,包括:在刻蚀目标层的第一区域之上形成线条图案,以及在刻蚀目标层的第二区域和第三区域之上形成预焊盘图案;在线条图案之上形成柱体,以及在预焊盘图案之上形成牺牲焊盘图案;在柱体的侧壁之上形成第一间隔件,使得第一间隔件彼此接触并在其间形成第一预开口;去除柱体来形成多个第二预开口;通过第一预开口和第二预开口来切割线条图案,以及形成切割图案;利用牺牲焊盘图案作为刻蚀掩模来刻蚀预焊盘图案,以及形成焊盘图案;以及利用切割图案和焊盘图案作为刻蚀掩模来刻蚀刻蚀目标层,以分别在第一区域和第二区域之上限定第一图案和第二图案。 |
申请公布号 |
CN105762070A |
申请公布日期 |
2016.07.13 |
申请号 |
CN201510515974.8 |
申请日期 |
2015.08.20 |
申请人 |
爱思开海力士有限公司 |
发明人 |
姜春守;金裕松 |
分类号 |
H01L21/308(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/308(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
俞波;毋二省 |
主权项 |
一种制造半导体器件的方法,包括:在刻蚀目标层的第一区域之上形成多个线条图案,以及在刻蚀目标层的第二区域和第三区域之上形成预焊盘图案;在线条图案之上形成多个柱体,以及在第二区域的预焊盘图案之上形成牺牲焊盘图案;在柱体的侧壁之上形成多个第一间隔件,使得第一间隔件彼此接触并在其间形成多个第一预开口;去除柱体来形成多个第二预开口;通过第一预开口和第二预开口来切割线条图案,以及在第一区域之上形成多个切割图案;利用牺牲焊盘图案作为刻蚀掩模来刻蚀预焊盘图案,以及在第二区域之上形成焊盘图案;以及利用切割图案和焊盘图案作为刻蚀掩模来刻蚀刻蚀目标层,以分别在第一区域和第二区域之上限定第一图案和第二图案。 |
地址 |
韩国京畿道 |