发明名称 制造半导体器件的方法
摘要 一种制造半导体器件的方法,包括:在刻蚀目标层的第一区域之上形成线条图案,以及在刻蚀目标层的第二区域和第三区域之上形成预焊盘图案;在线条图案之上形成柱体,以及在预焊盘图案之上形成牺牲焊盘图案;在柱体的侧壁之上形成第一间隔件,使得第一间隔件彼此接触并在其间形成第一预开口;去除柱体来形成多个第二预开口;通过第一预开口和第二预开口来切割线条图案,以及形成切割图案;利用牺牲焊盘图案作为刻蚀掩模来刻蚀预焊盘图案,以及形成焊盘图案;以及利用切割图案和焊盘图案作为刻蚀掩模来刻蚀刻蚀目标层,以分别在第一区域和第二区域之上限定第一图案和第二图案。
申请公布号 CN105762070A 申请公布日期 2016.07.13
申请号 CN201510515974.8 申请日期 2015.08.20
申请人 爱思开海力士有限公司 发明人 姜春守;金裕松
分类号 H01L21/308(2006.01)I 主分类号 H01L21/308(2006.01)I
代理机构 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人 俞波;毋二省
主权项 一种制造半导体器件的方法,包括:在刻蚀目标层的第一区域之上形成多个线条图案,以及在刻蚀目标层的第二区域和第三区域之上形成预焊盘图案;在线条图案之上形成多个柱体,以及在第二区域的预焊盘图案之上形成牺牲焊盘图案;在柱体的侧壁之上形成多个第一间隔件,使得第一间隔件彼此接触并在其间形成多个第一预开口;去除柱体来形成多个第二预开口;通过第一预开口和第二预开口来切割线条图案,以及在第一区域之上形成多个切割图案;利用牺牲焊盘图案作为刻蚀掩模来刻蚀预焊盘图案,以及在第二区域之上形成焊盘图案;以及利用切割图案和焊盘图案作为刻蚀掩模来刻蚀刻蚀目标层,以分别在第一区域和第二区域之上限定第一图案和第二图案。
地址 韩国京畿道
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