发明名称 | 半穿透半反射式画素结构 | ||
摘要 | 一种半穿透半反射式画素结构,适于架构在一基板上,其包括一扫描配线,配置在基板上;一闸介电层,配置于基板上并覆盖住扫描配线;一资料配线,配置于闸介电层上;一保护层,配置于部分闸介电层上并覆盖住资料配线;一透明画素电极,配置于保护层上;一反射画素电极,配置在暴露的闸介电层上;以及一双汲极薄膜电晶体,配置于基板上,其中双汲极薄膜电晶体具有一闸极、一通道层、一源极以及二汲极,源极系与资料配线电性连接,二汲极系分别与透明画素电极以及反射画素电极电性连接,而闸极系与扫描配线电性连接。 | ||
申请公布号 | TW200410182 | 申请公布日期 | 2004.06.16 |
申请号 | TW091134997 | 申请日期 | 2002.12.03 |
申请人 | 广辉电子股份有限公司 | 发明人 | 吕安序 |
分类号 | G09G3/18 | 主分类号 | G09G3/18 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县桃园市县府路四十八号 |