| 摘要 |
본 발명은 피처리 기판의 주위를 덮도록 하부 전극에 부착되는 포커스 링을 전극 온도로부터 독립적으로 임의·간편 또한 효율적으로 가열하는 것을 목적으로 한다. 이 플라즈마 에칭 장치에 있어서, 챔버(10)의 처리공간에 처리 가스를 공급하지 않을 때에는 고주파 방전이 일어나지 않고, 플라즈마 생성용 부하는 실질적으로 존재하지 않는다. 이 경우, 플라즈마 생성용 부하로 치환되어 포커스 링 가열용 부하가 고주파 전원(28)에 대해 실질상의 부하로 되고, 정합기(32A)는 고주파 전원(28)에 대해 그 부하를 임피던스 정합시키도록 동작한다. 여기서, 서셉터(12)로부터 포커스 링(36) 및 유전체(44)를 거쳐서 접지 전위의 통형상 지지 부재(16)에 이르는 고주파 전파 경로가 포커스 링 가열용 부하로서 이용된다. |
