发明名称 驻级体电容式微音器
摘要 本发明的课题:合理地构成耗电少,又可除去广频带的高频杂讯的驻级体电容式微音器。本发明的解决手段:带电处理盒的前端壁2的内面,在与该前端壁2相对向的位置配置振动膜6以构成电气音响交换M,在盒的后端部嵌入基板P后封闭盒,同时对于基板P具备将振动膜的音响振动变换成电信号的MOS型FET10,而在该FET10的输出端子与接地端子之间并联地具备电容器11与变阻器12。
申请公布号 TW595237 申请公布日期 2004.06.21
申请号 TW092100256 申请日期 2003.01.07
申请人 星电股份有限公司 发明人 佐伯真一;山田博文
分类号 H04R19/04 主分类号 H04R19/04
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种驻级体电容式微音器,属于在作为电极功能的振动膜,及对向配置于该振动膜的固定电极的至少一方具备驻级体元件以构成电气音响变换部,具备将该电气音响变换部的输出予以阻抗变换并输出的FET所构成的驻级体电容式微音器,其特征为:在上述FET使用MOS型。2.如申请专利范围第1项所述的驻级体电容式微音器,其中,在上述FET的信号线,及接地部之间并联地具备电容器与变阻器,而在该信号线串联地介设电阻器。3.如申请专利范围第2项所述的驻级体电容式微音器,其中,对于基板环状地形成以金属箔所构成的上述接地部,在围绕于该接地部的基板面形成上述MOS型FET,及导通于该MOS型FET的输出端子的金属箔所构成的上述信号线,同时在该信号线与接地部之间具备上述电容器与变阻器。4.如申请专利范围第2项或第3项所述的驻级体电容式微音器,其中,在一端形成音孔,而在另一端开放的金属制盒的音孔侧内藏上述振动膜,且在该盒的另一端侧嵌入固定基板,藉由该基板构成能封闭盒的开放部,同时在该基板的盒内部侧分别具备上述MOS型FET,电容器,变阻器。图式简单说明:第1图是表示驻级体电容式微音器的剖视图。第2图是表示驻级体电容式微音器的分解立体图。第3图是表示基板的立体图。第4图是表示基板的表面及背面的图式。第5图是表示驻级体电容式微音器的电路图。第6图是表示将本发明的改良品与习知的杂讯位准加以图表化的图式。第7图是表示其他实施形态的驻级体电容式微音器的剖视图。第8图是表示其他构成的驻级体电容式微音器的模式图。第9图是表示将对于频率的电容器的阻抗加以图表化的图式。
地址 日本