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<P>La présente invention concerne un transistor MOS formé dans une première région (5) de type P à faible niveau de dopage recouvrant une deuxième région (6) de type P à plus fort niveau de dopage comprenant une région de drain (3) du deuxième type de conductivité, une région de source (4) de type N et une région de prise de contact (7) avec la première région, les régions de drain, de source et de reprise de contact étant formées à la surface de la première région, la région de source et la région de reprise de contact étant connectées. Une troisième région (9) de type N à fort niveau de dopage s'étend à partir d'une partie superficielle de la première région en contact avec la région de drain jusqu'à la deuxième région.</P>
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