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发明名称 Dry-etching-free process for high dielectric and ferroelectric memory cell capacitor
摘要
申请公布号 EP0834912(A3) 申请公布日期 1999.10.20
申请号 EP19970307794 申请日期 1997.10.02
申请人 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 发明人 NUMATA, KEN;AOKI, KATSUHIRO;FUKUDA, YUKIO;NISHIMURA, AKITOSHI
分类号 C23C18/02;H01L21/02;H01L21/822;H01L21/8242;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L27/04;H01L27/105;H01L27/108;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/320 主分类号 C23C18/02
代理机构 代理人
主权项
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