半导体元件的制造方法

摘要

一种半导体元件的制造方法，此方法系先于基底上形成闸极结构与源极／汲极区，其中闸极结构是由闸极介电层、导体层与顶盖层所构成。接着于基底上形成非晶矽化锗层，之后再进行热制程，使源极／汲极区表面之非晶矽化锗层转变成结晶矽化锗层。接着移除源极／汲极区以外的非晶矽化锗层，再移除顶盖层，最后进行自行对准金属矽化合物制程，而于导体层、源极／汲极区上形成金属矽化物。