| 摘要 |
<p>Bauelement mit einem sperrenden pn-Übergang mit einer Randabschlußstruktur, die durch einen weiteren, schwächer dotierten Bereich (5) und einem darin ausgebildeten mit einem Dielektrikum gefüllten Graben (8) gebildet ist. Das dielektrische Material in dem Graben (8) lenkt die Äquipotentialflächen aus der Horizontalen auf sehr engem Raum in die vertikale Richtung um, so daß das elektrische Feld innerhalb eines kleinen Bereiches der Chipoberfläche aus dem Bauelement austreten kann.</p> |
