| 发明名称 | 一种利用废触体合成SiCl<SUB>4</SUB>的方法 | ||
| 摘要 | 一种利用废触体合成SiCl<SUB>4</SUB>的方法，以有机硅废触体为原料，与Cl<SUB>2</SUB>进行气固相直接法合成反应制备SiCl<SUB>4</SUB>，采用SiCl<SUB>4</SUB>作为载气参加换热，其中Cl<SUB>2</SUB>∶SiCl<SUB>4</SUB>＝1.76∶1.5～3.0(mol)，控制反应温度为200～450℃，压力为0～0.3MPa，流化气速为0.05～0.12m/s，反应器采用流化床，不添加催化剂，反应易于控制，连续反应时间长，反应在比较低的压力下进行(0-0.3MPa)，Si的转化率大于85％，Cl<SUB>2</SUB>转化率大于99％，SiCl<SUB>4</SUB>纯度大于90％。 | ||
| 申请公布号 | CN1209286C | 申请公布日期 | 2005.07.06 |
| 申请号 | CN02123777.8 | 申请日期 | 2002.06.28 |
| 申请人 | 中国石油天然气股份有限公司 | 发明人 | 张国良;宋贵军;徐永才;魏春梅;乔连成;姜璐;丛柏玉;刘景龙 |
| 分类号 | C01B33/08 | 主分类号 | C01B33/08 |
| 代理机构 | 北京市中实友知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 金杰 |
| 主权项 | 1.一种利用废触体合成SiCl4的方法，其特征在于：以有机硅废触体为原料，与Cl2进行气固相直接法合成反应制备SiCl4，采用SiCl4作为载气参加换热，其中Cl2与SiCl4的摩尔比为1.76∶1.5～3.0，控制反应温度为200～450℃，压力为0～0.3MPa，流化气速为0.05～0.12m/s，反应器采用流化床。 | ||
| 地址 | 100011北京市东城区安德路16号洲际大厦 | ||