| 发明名称 | 制造硅化锗的方法及半导体器件 | ||
| 摘要 | 示例实施例涉及一种制造硅化锗的方法以及一种半导体器件。根据示例实施例的方法可包括提供至少部分由锗硅构成的衬底。在该锗硅上可形成金属层。可在相对高的压力下对衬底进行热处理，以形成硅化锗。 | ||
| 申请公布号 | CN101261938A | 申请公布日期 | 2008.09.10 |
| 申请号 | CN200710185722.9 | 申请日期 | 2007.12.29 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 梁铉德;文昌郁;田重锡 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/321(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/43(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种制造硅化锗的方法，包括：提供至少部分由锗硅形成的衬底；在该锗硅上形成金属层；以及在高压下对该衬底进行热处理，以形成该硅化锗。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||