发明名称 |
锗和锗合金纳米颗粒及其制备方法 |
摘要 |
在本发明中,晶体锗或锗合金的电化学蚀刻产生了分离很好的纳米颗粒的彩色团簇。在350nm激发下的发光光谱中出现了明显的强谱带,确认波长中最低峰位于430、480和580,以及680-1100nm处。所述物质可以分散成一组不连续的直径为1-3nm的发光纳米颗粒,这些纳米颗粒可以制备成胶体或构造成膜、晶体等。 |
申请公布号 |
CN101379222A |
申请公布日期 |
2009.03.04 |
申请号 |
CN200580020236.0 |
申请日期 |
2005.05.16 |
申请人 |
伊利诺伊大学受托管理委员会 |
发明人 |
穆尼尔·H·内菲;莱拉·阿布哈森;安玛·M·内菲;张亚中 |
分类号 |
C25C1/00(2006.01);C25C1/22(2006.01);C25D1/00(2006.01) |
主分类号 |
C25C1/00(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
封新琴;巫肖南 |
主权项 |
1.制备单质锗或锗合金纳米颗粒的方法,该方法包括以下步骤:使锗或锗合金电极和蚀刻剂溶液接触;通过在锗或锗合金电极与另一电极之间施加电压向锗或锗合金电极的表面供应电流;反转电压并重复所述供应步骤;将锗或锗合金电极与蚀刻剂溶液分离。 |
地址 |
美国伊利诺伊州 |