| 摘要 |
【課題】 特に、ＭＥＭＳセンサに対する熱応力の影響を従来よりも小さくすることができる半導体装置を提供することを目的としている。【解決手段】 プリント基板２（支持基板）上に第１のダイボンド樹脂５を介して積層されたシリコンを主体とするＭＥＭＳセンサ３と、前記ＭＥＭＳセンサ３上に第２のダイボンド樹脂９を介して積層された第１のシリコン基板１１（磁気センサ用ＡＳＩＣ）と、封止材としてのモールド樹脂２０と、を有しており、各ダイボンド樹脂５，９は、前記モールド樹脂２０よりも軟質な材質により形成されていることを特徴とする。【選択図】図２ |
