发明名称 CROSS-POINT MEMORY BIAS SCHEME
摘要 본 개시내용은 크로스-포인트 메모리 바이어스 스킴에 관한 것이다. 장치는, 워드 라인(WL) 제어 모듈과 비트 라인(BL) 제어 모듈을 포함하는 메모리 제어기 ― 메모리 제어기는 타겟 메모리 셀의 선택을 개시하도록 구성됨 ―; 타겟 메모리 셀이 선택되었는지를 결정하도록 구성된 감지 모듈; 및 타겟 셀이 선택되지 않은 경우에 C-셀 바이어스를 설정하도록 구성된 C-셀 바이어스 모듈을 포함한다.
申请公布号 KR20160110981(A) 申请公布日期 2016.09.23
申请号 KR20167022473 申请日期 2015.03.09
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 FRANKLIN NATHAN;GULIANI SANDEEP;TAUB MASE;PANGAL KIRAN
分类号 G11C13/00 主分类号 G11C13/00
代理机构 代理人
主权项
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