| 摘要 |
본 발명은 SOI 기판의 이면에 샌드 블라스트 처리를 실시하여도, 표면의 실리콘층의 결함이 적고, 조면화된 이면을 갖는 SOI 기판의 제조 방법을 제공한다. 구체적으로는, SOI 기판의 실리콘 박막의 표면을 10 nm 이상 에칭하는 에칭 공정과, 상기 에칭된 실리콘 박막의 표면에 보호 테이프를 접착하고, 상기 표면의 반대측이 되는 상기 SOI 기판의 이면을 샌드 블라스트 처리를 행하는 공정과, 상기 샌드 블라스트 처리 후 상기 보호 테이프를 박리하는 공정과, 상기 보호 테이프가 박리된 실리콘 박막의 표면을 연마하고 세정하는 공정을 적어도 포함하여 이루어지는, 조면화된 이면을 갖는 SOI 기판의 제조 방법을 제공한다. |
