| 主权项 |
1.一种细胞培养装置,包括:一上基座,具有一上表面、一相对之下表面、及连接该等上下表面之侧面,该上基座形成有复数贯穿该等上下表面之穿孔;一宽度大于该上基座宽度之下基座,该下基座具有一顶面及一相对之底面,自该顶面对应该上基座各该穿孔位置分别形成有一向下凹陷,各该向下凹陷分别形成有一环绕侧壁及一底壁,从而界定出对应之复数盲孔,该下基座形成有对应该等盲孔之复数排气通孔及清洗通孔,各该排气通孔系分别大致沿该宽度方向延伸,一端连通至形成各该盲孔之侧壁接近该下基座顶面处,另一端系横向延伸至超过该上基座侧面之铅直投影位置,并连通至该下基座外部,且该排气通孔之容积系大于一预定数値;各该清洗通孔则系以一最低端连通至形成各该盲孔之侧壁接近各该底壁位置,并分别向上倾斜连通至该细胞培养装置外部;以及一连结装置,将该上基座可拆卸地相对固定于该下基座上,使该等上基座穿孔系分别对应各该下基座盲孔,并使该上下基座间可供夹置一膜层。2.如申请专利范围第1项所述之细胞培养装置,其中该下基座具有连接该等顶底面之侧面,各该排气通孔系分别连通各该盲孔及该下基座侧面。3.如申请专利范围第1项所述之细胞培养装置,其中各该排气通孔系分别连通各该盲孔及该下基座顶面。4.如申请专利范围第3项所述之细胞培养装置,其中各该排气通孔自连通至各该盲孔侧壁端沿该下基座宽度方向横向延伸至超过该上基座侧面之铅直投影位置后,分别形成有一向上弯折,使各该排气通孔之该另一端系分别连通至该下基座顶面。5.如申请专利范围第1项所述之细胞培养装置,其中该上基座及下基座形成有复数固定贯孔,该下基座中形成有分别对应各该上基座固定贯孔之复数固定螺孔,该连结装置系复数螺栓,分别用以穿经各该固定贯孔而螺锁至各该对应固定螺孔,藉此将该上基座相对固定于该下基座上方。6.如申请专利范围第1项所述之细胞培养装置,其中各该上基座穿孔系沿该宽度方向被区分为复数列而交错配置。7.一种细胞培养装置,包括:一具有一宽度之上基座,具有一上表面、一相对之下表面、及在该宽度方向连接该等上下表面且彼此相对之第一侧面与第二侧面,该上基座形成有复数贯穿该等上下表面之穿孔,该等穿孔包含复数较接近该第一侧面之第一穿孔、及复数较接近该第二侧面之第二穿孔;一下基座,该下基座具有一顶面及一相对之底面,自该顶面对应该上基座各该穿孔位置分别形成有一向下凹陷,各该向下凹陷分别形成有一环绕侧壁及一底壁,从而界定出对应之复数盲孔,该等盲孔亦包含复数较接近该第一侧面之第一盲孔、及复数较接近该第二侧面之第二盲孔;且该下基座分别形成有对应该等第一/第二盲孔之复数第一/第二排气通孔及第一/第二清洗通孔,各该第一/第二排气通孔系分别大致沿该宽度方向延伸,一端连通至形成该等第一/第二盲孔之侧壁接近该下基座顶面处,另一端系横向延伸至超过该等第二/第一盲孔之宽度方向投影位置,并连通至该下基座外部,且各该排气通孔之容积系大于一预定数値;各该第一/第二清洗通孔则系以一最低端连通至形成各该第一/第二盲孔之侧壁接近各该底壁位置,并分别朝该第二/第一侧面、向上倾斜形连通至该细胞培养装置外部;以及一连结装置,将该上基座可拆卸地相对固定于该下基座上,使该等上基座第一/第二穿孔系分别对应各该下基座第一/第二盲孔,并使该上下基座间可供夹置一膜层。8.如申请专利范围第7项所述之细胞培养装置,其中该下基座具有连接该等顶底面之侧面,各该排气通孔系分别连通各该盲孔及该下基座侧面;该上基座及下基座形成有复数固定贯孔,该下基座中形成有分别对应各该上基座固定贯孔之复数固定螺孔,该连结装置系复数螺栓,分别用以穿经各该固定贯孔而螺锁至各该对应固定螺孔,藉此将该上基座相对固定于该下基座上方。图式简单说明:图1是习用Boyden chamber培养装置的侧向分解剖视示意图;图2是经Mary Hendrix团队改良Boyden chamber之培养装置立体图;图3是图2培养装置沿Ⅲ-Ⅲ线剖视图;图4是习用96孔细胞侵袭分析装置立体示意图;图5是本案细胞培养装置第一实施例之立体图;图6是图5细胞培养装置俯视图,说明各上基座穿孔、和对应之排气通孔、清洗通孔相关位置;图7是图5细胞培养装置沿Ⅶ-Ⅶ线剖视图,说明排气通孔、对应之下基座盲孔和上下基座侧面之相关位置;图8是图5细胞培养装置沿Ⅷ-Ⅷ线剖视图,说明上下基座间之结合方式;图9是分别采用习用MICS与图5细胞培养装置进行癌细胞侵袭实验之结果比较示意图,说明经由本案之结构改良后,实验标准差値被大幅降低。图10是本案细胞培养装置第二实施例下基座沿宽度方向剖视示意图;图11是本案细胞培养装置第三实施例之俯视示意图;及图12是图11实施例沿XII-XII线剖视图。 |
