光罩及使用该光罩之制造方法

摘要

一种包括半透(half–tone)层16与阻光(lightblocking)层20之光罩12。该半透层16系由富矽氮化矽SiNx：H材料所组成，其中x可以介于0到1范围内，较佳为0.2到0.6，以使该光学带隙介于2.1电子伏特到2.5电子伏特范围。已发现在使用该光罩12时去除光阻与该带隙密切相关，而与该厚度无关，因此可以获得对薄膜电晶体(TFT)制造较好之控制。