| 摘要 |
<p>L'invention concerne un dispositif à semiconducteur et un procédé de tracé dudit dispositif, consistant à acheminer les distributions primaires d'alimentation et de masse dans la seconde couche de métallisation, plutôt que dans la première métallisation, comme dans le mode de fabrication classique. Ledit procédé améliore la capacité d'acheminement de la première couche de métallisation tout en fournissant une capacité de gestion du courant suffisante dans les distributions d'alimentation et de masse.</p> |
