非挥发性内存及其制造方法

摘要

一种非挥发性内存及其制造方法，其中：一选择闸(140)形成于一半导体上。一介电层(810，1010，1030)形成于该选择闸上。一浮置闸层(160)形成于该选择闸上。自该选择闸的至少一部分上移除该浮置闸。一介电层(1510)形成于该浮置闸层上，且一控制闸层(170)形成于此介电层上。该控制闸层具有一向上突出部于选择闸上。另一层(1710)形成于该控制闸层上，曝露出控制闸层的突出部。选择性蚀刻该控制闸层的曝露部分，直到控制闸层自该选择闸的至少一部分上移除。另一层(1910)形成于该控制闸层的曝露部分，其为热形成的二氧化硅。移除氮化硅层。对二氧化硅选择性地蚀刻该控制闸层、ONO层及浮置闸层，以定义控制闸及浮置闸。

主权项

1.一种制造一集成电路的方法，该集成电路包含一非挥发性内存单元，其包含彼此相互绝缘的一第一导电闸、一第二导电闸及一导电浮置闸，该方法包括步骤：(a)形成该第一导电闸于一半导体基板上，及形成一介电质于该第一导电闸的一侧壁上，以使该第一导电闸与该浮置闸绝缘；(b)形成一FG层于该第一导电闸上，其中该浮置闸包含该FG层的一部分；(c)自该第一导电闸的至少一部分上移除该FG层；(d)形成一第二导电闸层于该FG层上，以提供该第二导电闸的至少一部分，该第二导电闸具有突出于该第一导电闸上的一部分P1；(e)形成一层L1于该第二导电闸层上，使该突出部分P1曝露而未被该层L1完全覆盖；(f)对该层L1具选择性地移除位于该部分P1的第二导电闸层，以自该第一导电闸的至少一部分上移除该第二导电闸层；(g)形成一层L2于毗连该第一导电闸的该第二导电闸层上；以及(h)对该层L2具选择性地移除至少部分该层L1、该第二导电闸层及该FG层。