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发明名称 METHOD OF HEAT-TREATING NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR100814049(B1) 申请公布日期 2008.03.18
申请号 KR20010047740 申请日期 2001.08.08
申请人 发明人
分类号 C23C16/34;H01L21/324;H01L21/26;H01L21/268;H01L21/331;H01L29/205;H01L29/73;H01L33/00;H01L33/32;H01L33/40;H01S5/323;H01S5/343 主分类号 C23C16/34
代理机构 代理人
主权项
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