| 发明名称 | 一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构，包括玻璃基板、栅线、栅电极等部分，其中栅电极和栅线上依次为第一绝缘层、有源层和掺杂层；栅电极与其上方的第一绝缘层、有源层和掺杂层共同形成栅小岛；第二绝缘层覆盖在玻璃基板、栅线及栅小岛周边部位；源电极及数据线呈一体位于第二绝缘层上方且下方同时有像素电极材料层，源电极在栅小岛周边位置与栅电极上的掺杂层相连；像素电极位于第二绝缘层上方；漏电极一端同栅电极上的掺杂层相连，另一端搭接在像素电极上。本发明同时公开一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构制造方法。本发明利用三次光刻掩模版形成薄膜晶体管的方法，节约了阵列工艺的成本和占机时间，提高了产能。 | ||
| 申请公布号 | CN101118356A | 申请公布日期 | 2008.02.06 |
| 申请号 | CN200610103866.0 | 申请日期 | 2006.08.04 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 邱海军;王章涛;陈旭;闵泰烨 |
| 分类号 | G02F1/136(2006.01);G02F1/1333(2006.01);G03F7/20(2006.01) | 主分类号 | G02F1/136(2006.01) |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘芳 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构，包括：玻璃基板、栅线、栅电极、第一绝缘层、有源层、掺杂层、第二绝缘层、源电极、漏电极、及像素电极，其特征在于：栅电极和栅线上依次为第一绝缘层、有源层和掺杂层；栅电极与其上方的第一绝缘层、有源层和掺杂层共同形成栅小岛；第二绝缘层覆盖在玻璃基板、栅线及栅小岛周边部位；源电极及数据线呈一体位于第二绝缘层上方且下方同时有像素电极材料层，源电极在栅小岛周边位置与栅电极上的掺杂层相连；像素电极位于第二绝缘层上方；漏电极一端同栅电极上的掺杂层相连，另一端搭接在像素电极上。 | ||
| 地址 | 100176北京经济技术开发区西环中路8号 | ||