| 发明名称 | 多层掩膜层的形成方法和涂布方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多层掩膜层的形成方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底表面已形成前一掩膜层；向所述衬底表面喷洒湿润剂，保持所述衬底静止；向所述衬底表面喷洒后一掩膜材料；旋转所述衬底，在所述衬底表面上形成后一掩膜层。本发明还公开了相应的多层掩膜层的涂布方法，采用本发明的多层掩膜层的形成方法和涂布方法，可以提高前一掩膜层表面的湿润度，进而改善了后一掩膜层在前一掩膜层上的涂布质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101354535A | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200710044348.0 | 申请日期 | 2007.07.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 安辉;张迎春 |
| 分类号 | G03F7/16(2006.01);G03F7/00(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | G03F7/16(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1、一种多层掩膜层的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，所述衬底表面已形成前一掩膜层；向所述衬底表面喷洒湿润剂，保持所述衬底静止；向所述衬底表面喷洒后一掩膜材料；旋转所述衬底，在所述衬底表面上形成后一掩膜层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||