互连结构

摘要

本发明提供一种互连结构，该互连结构包括内层介电层，最高铜金属层，绝缘层，通路孔及重新分布层。最高铜金属层镶嵌在内层介电层内；绝缘层位于内层介电层及最高铜金属层之上；通路孔位于绝缘层内，用以暴露最高铜金属层的上表面，其中通路孔包括上导通部分及下导通部分，上导通部分逐渐向内变小以及下导通部分具有大致垂直的井壁外形；以及重新分布层包括填充至通路孔的铝层。上述互连结构可减少最高金属层占用半导体芯片的表面区域，同时改善阶梯覆盖率，并提高芯片的可靠性。

主权项

1.一种互连结构，其特征在于，该互连结构包括：内层介电层；最高铜金属层，镶嵌于所述的内层介电层内；绝缘层，位于所述的内层介电层及所述的最高铜金属层之上；通路孔，位于所述的绝缘层内，以暴露所述的最高铜金属层的上表面，其中所述的通路孔包括上导通部分及下导通部分，该上导通部分逐渐向内变小以及该下导通部分具有大致垂直的井壁外形；以及重新分布层，包括填充至所述的通路孔的铝层。