| 摘要 |
トンネル電界トランジスタ（ＴＦＥＴ）デバイスは、基板表面から突出するフィン構造を含む。フィン構造は、基板表面に最も近いベース部分、上部部分、およびベース部分から上部部分へ延びる側壁の第１のペアを含む。側壁の第１のペアは、フィン構造の長さに相当する長さを有する。フィン構造はまた、第１のドーパント濃度をフィン構造のベース部分に有する第１のドープ領域を含む。フィン構造はまた、第２のドーパント濃度をフィン構造の上部部分に有する第２のドープ領域を含む。ＴＦＥＴデバイスは、側壁の第１のペアの第１の側壁の付近の第１の導電性構造を含むゲートをさらに含む。誘電体層は、第１の導電性構造を第１の側壁から電気的に分離する。 |
