| 摘要 |
반도체 디바이스는 집적 회로, 적어도 하나의 외측 시일 링, 및 적어도 하나의 내측 시일 링을 포함한다. 외측 시일 링은 집적 회로를 둘러싼다. 외측 시일 링은 스택형 구성의 복수의 금속층을 포함하고, 금속층은 폐쇄 루프이다. 내측 시일 링은 외측 시일 링과 집적 회로 사이에 배치되며 외측 시일 링과는 분리된다. 내측 시일 링은 이 내측 시일 링에 의해 에워싸인 영역으로부터 이 내측 시일 링의 외부 영역까지 연장되는 적어도 하나의 갭을 갖는다. |
