发明名称 发光二极体及其制造方法
摘要 本发明的课题是提供在温度500℃以下的接合条件下仍有高黏接力而展现耐热性优越的黏接层,使接合时所发生的应力减少又能稳定生产之高亮度的发光二极体及其制造方法。本发明的解决手段,系具备含发光部之化合物半导体层、及Na、Ca、Ba或K元素的其中1种含有1%以上之对前述发光部的发光波长会成为透明之硷性玻璃基板,硷性玻璃基板为面接上述的化合物半导体层而被固定或接合的构成。在对发光波长会成为不透明的硷性玻璃基板上生长化合物半导体层,用阳极接合法将该化合物半导体层与透明的硷性玻璃基板接合,除去半导体基板,在与阳极接合面相反之主面的一部份形成第1电极,在另一部分形成第2欧姆电极,以金属反射层覆盖第1电极及具有第1极性的化合物半导体层而形成。
申请公布号 TW200418211 申请公布日期 2004.09.16
申请号 TW093103914 申请日期 2004.02.18
申请人 昭和电工股份有限公司 发明人 竹内良一;锅仓亘
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本