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发明名称
METHOD FOR MAKING INTEGRATED SEMICONDUCTOR CIRCUIT STRUCTURE WITH FORMATION OF TI OR TA SILICIDE
摘要
申请公布号
USRE32207(E1)
申请公布日期
1986.07.15
申请号
US06/429299
申请日期
1982.09.30
申请人
发明人
分类号
主分类号
代理机构
代理人
主权项
地址
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