High frequency diode and method for fabricating it

摘要

Hochfrequenzdiode, bei der in einem hochohmigen Siliziumsubstrat (1) eine n- oder p-leitend dotierte Wanne (2) ausgebildet ist. Über einem ersten Teilbereich (3) einer Oberfläche (4) der Wanne (2) ist Silizium-Epitaxieschicht (5) vorgesehen, die denselben Leitungstyp wie die dotierte Wanne (2) aufweist. Die Silizium-Epitaxieschicht (5) ist einer ersten Schottky-Kontaktschicht (6) und ein neben dem ersten Teilbereich (3) liegender zweiter Teilbereich (7) der Oberfläche (4) der Wanne (2) ist mit einer zweiten Schottky-Kontaktschicht (8) versehen, auf die eine erste (9) bzw. eine zweite Kontaktmetallisierung (10) aufgebracht ist. <IMAGE>