| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,藉由该第二多晶矽膜而形成于该渠沟中之一多晶矽区域之薄膜厚度,系对应于位于该第一接触孔底部之该阻绝金属膜之该下层钛薄膜之薄膜厚度而设定。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,该第二多晶矽膜系设置于该渠沟中,以被完全埋入于其中。4.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,该第二多晶矽膜并非完全埋于该渠沟中,且该第一接触孔系被设置以几乎达到该渠沟之一底部。5.一种半导体装置,具有以下构造:在覆盖于一半导体基板之一第一绝缘膜上设有一第一多晶矽膜,且在覆盖于第一多晶矽膜的一第二绝缘膜中形成有用以使该第一多晶矽膜的一部份露出之第一接触孔;且在包含该第一绝缘膜与该第二绝缘膜之绝缘膜中,有一与该第一接触孔不同深度之第二接触孔形成于该半导体基板之一扩散区域;而一配线系经由该第一接触孔,藉由包含一下层钛薄膜之一阻绝金属膜而连接至该多晶矽膜;其中,该第一接触孔下方之该第一绝缘膜中,设有宽度较该第一接触孔之宽度为大之一渠沟,且于该渠沟中设有一第二多晶矽膜。6.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中,藉由该第二多晶矽膜而形成于该渠沟中之一多晶矽区域之薄膜厚度,系对应于位于该第一接触孔之一底部之该阻绝金属膜之该下层钛薄膜之薄膜厚度而设定。7.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中,该第二多晶矽膜系被设置于该渠沟中,以完全被埋入于其中。8.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中,该第二多晶矽膜并非完全埋于该渠沟中,且该第一接触孔系被设置以几乎达到该渠沟之一底部。9.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中,一侧壁绝缘膜系被设置于该第一接触孔之一侧壁与该第二接触孔之一侧壁上。10.一种半导体装置,具有以下构造:于一半导体基板中,形成有电连接至一个扩散区域的一电容器,该电容器包含:一下电极,设置于一第二接触孔中,第二接触孔系形成于该半导体基板上之一第一绝缘膜中;一电容绝缘膜,设置于该下电极与该第一绝缘膜上;以及一多晶矽制的上电极,设置于该电容绝缘膜上,一第一接触孔系形成于覆盖该上电极之一第二绝缘膜中,以暴露该上电极之一部份,而一配线系经过该第一接触孔,介由包含一下层钛薄膜之一阻绝金属膜而连接至该上电极;其中,在该第一接触孔下之该第一绝缘膜中,设置宽度较该第一接触孔为大之一渠沟,且于该渠沟中设有构成一虚设电容器之一多晶矽膜。11.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中,与该第一接触孔具有不同深度之一第三接触孔,系形成于包含该第一绝缘膜与该第二绝缘膜的一绝缘膜中,且该绝缘膜于该半导体基板之一扩散区域中覆盖于该半导体基板。12.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中,藉由该多晶矽膜而形成于该渠沟中之一多晶矽区域之薄膜厚度,系对应于位于该第一接触孔之一底部之该阻绝金属膜之该下层钛薄膜之薄膜厚度而设定。13.如申请专利范围第12项之半导体装置,其中,该多晶矽膜系被设置以完全埋于该渠沟中。14.如申请专利范围第12项之半导体装置,其中,该多晶矽膜并非完全埋于该渠沟中,且该第一接触孔系被设置以几乎达到该渠沟之一底部。15.如申请专利范围第11项之半导体装置,其中,一侧壁绝缘膜系被设置于该第一接触孔之侧壁与该第二接触孔之侧壁上。16.一种半导体装置之制造方法,包含以下步骤:于一半导体基板中形成一扩散区域,然后,将一导电插塞连接至该扩散区域,以形成一记忆体单元选择电晶体;形成一第一绝缘膜,俾能覆盖该导电插塞,然后,于该第一绝缘膜中形成一第二接触孔,俾能暴露该导电插塞,同时,形成一渠沟,俾能不露出该插塞;于该第二接触孔与该渠沟中同时形成一导电膜,以构成一电容器之一下电极与一虚设电容器之一下电极;形成电容绝缘膜,俾能覆盖该两电极,然后,于该电容绝缘膜上形成由多晶矽所构成之一上电极,以形成一电容器与一虚设电容器;形成一第二绝缘膜,俾能覆盖该电容器之该上电极,然后,于该第二绝缘膜中形成一个宽度比一第二渠沟小的第一接触孔,俾能暴露该虚设电容器之该上电极,同时,于包含该第一绝缘膜与该第二绝缘膜之一绝缘膜中,形成一个深度与该第一接触孔不同之第三接触孔,其中,该第二渠沟系以形成于该渠沟中之该电容绝缘膜覆盖;形成具有由钛所构成之下层膜的一阻绝金属膜,俾于该第一接触孔之底部形成一钛薄膜,该钛薄膜之薄膜厚度系和由构成该上电极之多晶矽所形成于该渠沟中之一多晶矽区域之薄膜厚度相对应;以及执行热处理,其乃使该阻绝金属膜之该下层膜之钛与该上电极之多晶矽进行反应。17.如申请专利范围第16项之半导体装置的制造方法,其中,于该电容器形成步骤中,该上电极系以将该上电极之多晶矽完全埋于该渠沟中的方式形成。18.如申请专利范围第16项之半导体装置的制造方法,其中,于该电容器形成步骤中,该上电极系以多晶矽并非完全埋于该渠沟中,同时,该第一接触孔系被形成以达到该渠沟之一底部的方式形成。19.如申请专利范围第16项之半导体装置的制造方法,其中,在该接触孔形成步骤之后,更包含以下步骤:于该第一接触孔与该第二接触孔之各个侧壁上形成一侧壁绝缘膜。图式简单说明:图1系为显示本发明之第一实施例之半导体之构造之平面视图;图2系为沿着图1的线A-A之剖面图;图3A、图3B系为显示用以制造半导体装置之步骤之流程图;图4A、图4B系为用以制造半导体装置之后续流程图;图5A、图5B系为用以制造半导体装置之又另一后续流程图;图6系为显示依本发明第二实施例之半导体装置之构造之剖面图;图7系为显示依本发明第三实施例之半导体装置之构造之剖面图;图8系为显示习知之半导体装置之构造之剖面图;图9A、图9B显示习知之半导体装置之缺陷;以及图10系显示习知之半导体装置之构造之剖面图。 |
