| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之方法,其中(b)步骤乃包含:将该基材加热至该较高温度;及然后将填料布设在该加热之基材上。3.如申请专利范围第2项之方法,其中布设填料之步骤系仅在该基材已达该较高温度之后才来进行。4.如申请专利范围第3项之方法,更包含当布设该填料时,将该基材保持在该较高温度的步骤。5.如申请专利范围第4项之方法,其中将该基材加热并保持于该较高温度的步骤乃包含:将该基材加热并保持在一使该填料具有大约25厘泊(Centipoises)黏度的温度。6.如申请专利范围第4项之方法,其中将该基材加热并保持于该较高温度的步骤乃包含:将该基材加热并保持于大约80至100℃的温度。7.如申请专利范围第1项之方法,更包含在进行步骤(c)时将该半导体晶片加热的步骤。8.如申请专利范围第1项之方法,更包含在步骤(c)之前先将该半导体晶片加热的步骤。9.如申请专利范围第1项之方法,更包含在步骤(c)之后将该半导体晶片、基材与填料之组合物加热的步骤。10.如申请专利范围第9项之方法,其中将该半导体晶片、基材与填料之组合物加热的步骤乃包含:使该等凸体形成该等至少一些导电位置与该等至少一些焊垫之间的接点之步骤。11.如申请专利范围第10项之方法,其中将该半导体晶片、基材与填料之组合物加热的步骤更包含使该填料固化之步骤。12.如申请专利范围第2项之方法,更包含在布设填料之前将该填料加热的步骤。13.如申请专利范围第12项之方法,更包含在布设填料的时候将其加热的步骤。14.如申请专利范围第2项之方法,更包含在布设填料的时候将其加热的步骤。15.如申请专利范围第1项之方法,其中在步骤(b)之布设该填料的步骤乃包含印刷该填料的步骤。16.一种制造倒装晶片半导体封装物的方法,包含下列步骤:a)提供:i)一半导体晶片其上具有多数焊垫,而至少有一些该等焊垫排列成一图案;ii)一设有凸体的基材其上具有多数导电位置,而至少有一些该等导电位置系排列成一对应图案,且至少一些该等导电位置上具有至少一导电凸体,而可连接于至少一些该等焊垫;及iii)填料;b)当将填料布设于该凸体基材上时,将该凸体基材加热至一相对于该填料温度之较高温度;及c)将该半导体晶片置放在该凸体基材上而使填料容纳其间,且该等至少一些焊垫对准于该至少一些导电位置。17.如申请专利范围第16项之方法,其中(b)步骤乃包含:将凸体基材加热至该较高温度;及然后将填料布设在该加热之凸体基材上。18.如申请专利范围第17项之方法,其中布设填料之步骤系仅在该凸体基材已达该较高温度之后才来进行。19.如申请专利范围第18项之方法,更包含当布设该填料时,将该凸体基材保持在该较高温度的步骤。20.如申请专利范围第19项之方法,其中将该凸体基材加热并保持于该较高温度的步骤乃包含:将该凸体基材加热并保持在一使该填料具有大约25厘泊(Centipoises)黏度的温度。21.如申请专利范围第19项之方法,其中将该凸体基材加热并保持于该较高温度的步骤乃包含:将该凸体基材加热并保持于大约80至100℃的温度。22.如申请专利范围第16项之方法,更包含在进行步骤(c)时将该半导体晶片加热的步骤。23.如申请专利范围第16项之方法,更包含在步骤(c)之前先将该半导体晶片加热的步骤。24.如申请专利范围第16项之方法,更包含在步骤(c)之后将该半导体晶片、基材与填料之组合物加热的步骤。25.如申请专利范围第24项之方法,其中将该半导体晶片、基材与填料之组合物加热的步骤乃包含:使该等凸体形成该等至少一些导电位置与该等至少一些焊垫之间的接点之步骤。26.如申请专利范围第24项之方法,其中将该半导体晶片、基材与填料之组合物加热的步骤更包含使该填料固化之步骤。27.如申请专利范围第17项之方法,更包含在布设填料之前将该填料加热的步骤。28.如申请专利范围第27项之方法,更包含在布设填料的时候将其加热的步骤。29.如申请专利范围第17项之方法,更包含在布设填料的时候将其加热的步骤。30.如申请专利范围第16项之方法,其中在步骤(b)之布设该填料的步骤乃包含印刷该填料的步骤。图式简单说明:第1图为习知技术之一晶片与一基材于组合之前的剖视图;第2图为第1图中之晶片与基材在组合之后的剖视图;第3图为第1图之基材在布设填料之后的照片;第4图为本发明之制造方法的流程图;第5图为一晶片与一基材在经第4图之方法组合后的剖视图;及第6图为该基材依第4图之方法来布设填料之后的照片。 |
