发明名称 影像感测器之增层封装结构
摘要 一种影像感测器之增层封装结构,其系包含一影像感测晶片、一载板、一线路增层结构及一透光片,该载板之表面系形成有一晶穴,以容置该影像感测晶片,该线路增层结构系形成于该载板之表面上,该线路增层结构系具有一窗口及复数个导电线路,该窗口系对应该影像感测晶片之感测区,该些导电线路系电性导通该影像感测晶片之该些焊垫,该透光片系覆盖该线路增层结构之窗口。
申请公布号 TWM246808 申请公布日期 2004.10.11
申请号 TW092221239 申请日期 2003.12.02
申请人 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 CHIPMOS TECHNOLOGIES (BERMUDA)., LTD. 英属百慕达 发明人 黄铭亮;赵永清;刘安鸿;李耀荣
分类号 H01L31/0203 主分类号 H01L31/0203
代理机构 代理人 张启威 高雄市左营区立文路七十七号十六楼之二
主权项 1.一种影像感测器之增层封装结构,包含:一影像感测晶片,其系具有一主动面及一非主动面,该影像感测晶片之该主动面系包含有一感测区及一周边区,该周边区系形成有复数个焊垫;一载板,其系具有一表面,该表面系形成有一晶穴,以容置该影像感测晶片;一线路增层结构,其系形成于该载板之该表面上,该线路增层结构系覆盖该影像感测晶片之该些焊垫,该线路增层结构系具有一窗口及复数个导电线路,该窗口系对应于该影像感测晶片之该感测区,该些导电线路之一端系连接该影像感测晶片之该些焊垫;及一透光片,其系覆盖该线路增层结构之该窗口。2.如申请专利范围第1项所述之影像感测器之增层封装结构,其中该些导电线路之一端系为导通孔,以连接该影像感测晶片之该些焊垫。3.如申请专利范围第1项所述之影像感测器之增层封装结构,其中该线路增层结构系包含一第一介电层及一第二介电层,该第一介电层系包含有一第一开口,该第二介电层系包含有一第二开口,该第一开口与该第二开口系对应该影像感测晶片之该感测区,以形成该线路增层结构之该窗口。4.如申请专利范围第3项所述之影像感测器之增层封装结构,其中该第二介电层之该第二开口之尺寸系大于该第一介电层之该第一开口之尺寸。5.如申请专利范围第3项所述之影像感测器之增层封装结构,其中该透光片系嵌设于该第二介电层之该第二开口。6.如申请专利范围第1项所述之影像感测器之增层封装结构,其中该线路增层结构之该窗口系呈阶梯状。7.如申请专利范围第1项所述之影像感测器之增层封装结构,其另包含有复数个焊球,其系结合于该线路增层结构且电性连接该些导电线路。8.如申请专利范围第7项所述之影像感测器之增层封装结构,其中该透光片之高度系低于该些焊球之高度。9.如申请专利范围第1项所述之影像感测器之增层封装结构,其另包含有复数个焊球,其系结合于该载板且电性连接该些导电线路。10.如申请专利范围第1项所述之影像感测器之增层封装结构,其中该载板系选自于金属板、散热鳍片与玻璃基板之其中之一。11.如申请专利范围第1项所述之影像感测器之增层封装结构,其中该载板系为电路基板。12.如申请专利范围第11项所述之影像感测器之增层封装结构,其中该线路增层结构之该些导电线路系电性连接该载板。13.如申请专利范围第1项所述之影像感测器之增层封装结构,其中该透光片系形成有一红外线滤光膜。图式简单说明:第1图:习知之影像感测器结构之截面示意图;第2图:依据本创作之第一具体实施例,一种影像感测器之增层封装结构之截面示意图;及第3图:依据本创作之第二具体实施例,一种影像感测器之增层封装结构之截面示意图。
地址 新竹市新竹科学工业园区研发一路一号