发明名称 パワー半導体モジュール
摘要 本発明はパワー半導体モジュール(10)に関する。パワー半導体モジュール(10)は、ハウジング(12)と、ハウジング(12)内部に配置された基板(24)とを含み、基板(24)の上に、少なくとも1つの導電路(15)が配置される。パワー半導体モジュール(10)はさらに、少なくとも1つのパワー半導体デバイス(14)を含む。少なくとも1つのパワー半導体デバイス(14)は、ハウジング(12)内部に配置され、導電路(15)上に配置されて電気的に接続される。パワー半導体モジュール(10)はさらに、半導体デバイス(14)に外部から接触するための少なくとも1つの接点を含む。モジュール(10)はさらに、ハウジング(12)内部に配置された自立型センサシステムを含む。センサシステムは、物理的パラメータまたは化学物質を検出するためのセンサと、センサによって提供されるデータをモジュール外部の受信者に無線送信するための送信装置と、必要なすべてのエネルギをセンサシステムに供給するためのエネルギ源とを含む。センサは、電流、電圧磁界、機械的応力および湿度を検出するためのセンサのうち少なくとも1つを含む。本発明に従って提供され得るパワー半導体モジュール(10)によれば、モジュール自体、その一部であり得るモジュール構成、および、このようなパワー半導体モジュール(10)を備えた電子装置についての信頼性および耐久性の改善が可能となる。
申请公布号 JP2016522987(A) 申请公布日期 2016.08.04
申请号 JP20160509329 申请日期 2014.01.30
申请人 アーベーベー・テクノロジー・アーゲー 发明人 バイアー,ハーラルト
分类号 H01L25/07;H01L25/18 主分类号 H01L25/07
代理机构 代理人
主权项
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