| 摘要 |
본 발명은, 기판 상에 제1 전극, 반도체층, 및 제2 전극을 형성하는 공정; 및 태양전지 내부로 수분이 침투하는 것을 방지하기 위해서, 상기 기판의 가장자리에 형성된 제1 전극, 반도체층, 및 제2 전극의 소정 영역을 제거하는 공정을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 전극, 반도체층, 및 제2 전극의 소정 영역을 제거하는 공정은 습식 식각 공정을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따르면 기판의 가장자리에 형성된 제1 전극, 반도체층, 투명도전층 및 제2 전극의 소정 영역을 제거함으로써, 기판의 가장자리 영역을 통해 태양전지 내부로 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있어 전지효율이 저하되지 않고, 특히, 본 발명은 습식 식각 공정을 이용하여 상기 기판의 가장자리에 형성된 제1 전극, 반도체층, 투명도전층 및 제2 전극의 소정 영역을 제거함으로써, 공정시간이 단축되어 생산성이 향상될 수 있고, 기판이 식각되는 것을 차단할 수 있고, 또한 식각 공정 이후 별도의 파티클(particle) 제거 공정을 추가로 수행할 필요가 없는 장점이 있다. |
