| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von reinem Silizium in einer Abscheidekammer durch chemische Gasphasenabscheidung von Silizium auf der Oberfläche eines Abscheidekörpers, wobei der Abscheidekörper auf eine vorgegebene Temperatur temperiert wird. Durch die Erfindung ein quasi kontinuierlicher Prozess nach dem „SIEMENS-Verfahren“ mit verbesserter Leistungsfähigkeit geschaffen werden. Erreicht wird das durch Anordnen von mindestens einem Abscheidekörper (2) in der Abscheidekammer (1), wobei der Abscheidekörper (2) aus einem Material besteht, dass eine im Vergleich zu Silizium höhere Schmelz- bzw. Zersetzungstemperatur aufweist; Aufheizen des Abscheidekörpers (2) auf eine Temperatur, die über der für die Abscheidung von Silizium notwendigen Temperatur liegt; Abscheiden von Silizium zur Ausbildung einer Silizium-Hülse (6) auf dem Abscheidekörper (2); Aufschmelzen der dem Abscheidekörper (2) am nächsten kommenden Silizium-Schicht und Entnahme der Silizium-Hülse (6) unterhalb des Abscheidekörpers (2) aus der Abscheidekammer (1) nach dem, oder während des schwerkraftbedingten Abrutschens der Silizium-Hülse (6) vom Abscheidekörper (2) infolge deren Eigengewichtes. |
