发明名称 Gestapelte dünne Kanäle zur Erhöhungs- und Leckverbesserung
摘要 Eine Hohlkanalspeichervorrichtung umfasst eine Sourceschicht, eine auf der Sourceschicht gebildete erste Hohlkanalsäulenstruktur und eine auf der ersten Hohlkanalsäulenstruktur gebildete zweite Hohlkanalsäulenstruktur. Die erste Hohlkanalsäulenstruktur umfasst einen ersten dünnen Kanal und die zweite Hohlkanalsäulenstruktur umfasst einen zweiten dünnen Kanal, der sich in Kontakt mit dem ersten dünnen Kanal befindet. In einer beispielhaften Ausführungsform umfasst der erste dünne Kanal ein erstes Dotierungsniveau; und der zweite dünne Kanal umfasst ein zweites Dotierungsniveau, das sich von dem ersten Dotierungsniveau unterscheidet. In einer anderen beispielhaften Ausführungsform sind das erste und das zweite Dotierungsniveau gleich.
申请公布号 DE112015000500(T5) 申请公布日期 2016.11.24
申请号 DE20151100500T 申请日期 2015.03.02
申请人 Intel Corporation 发明人 Simsek-Ege, Fatma A.;Sun, Jie Jason;Li, Benben;Jayanti, Srikant;Guangyu, Huang;Zhao, Han;Liu, Haitao
分类号 H01L27/115;H01L21/8247 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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