发明名称 |
Gestapelte dünne Kanäle zur Erhöhungs- und Leckverbesserung |
摘要 |
Eine Hohlkanalspeichervorrichtung umfasst eine Sourceschicht, eine auf der Sourceschicht gebildete erste Hohlkanalsäulenstruktur und eine auf der ersten Hohlkanalsäulenstruktur gebildete zweite Hohlkanalsäulenstruktur. Die erste Hohlkanalsäulenstruktur umfasst einen ersten dünnen Kanal und die zweite Hohlkanalsäulenstruktur umfasst einen zweiten dünnen Kanal, der sich in Kontakt mit dem ersten dünnen Kanal befindet. In einer beispielhaften Ausführungsform umfasst der erste dünne Kanal ein erstes Dotierungsniveau; und der zweite dünne Kanal umfasst ein zweites Dotierungsniveau, das sich von dem ersten Dotierungsniveau unterscheidet. In einer anderen beispielhaften Ausführungsform sind das erste und das zweite Dotierungsniveau gleich. |
申请公布号 |
DE112015000500(T5) |
申请公布日期 |
2016.11.24 |
申请号 |
DE20151100500T |
申请日期 |
2015.03.02 |
申请人 |
Intel Corporation |
发明人 |
Simsek-Ege, Fatma A.;Sun, Jie Jason;Li, Benben;Jayanti, Srikant;Guangyu, Huang;Zhao, Han;Liu, Haitao |
分类号 |
H01L27/115;H01L21/8247 |
主分类号 |
H01L27/115 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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